考研601数学是什么
这个考试科目代码，常在考研科目中出现。一般认为高数301为高教版高等数学一，是考研中最难的数学，包括高数、线代和数理统计高数302为高教版高数二，包含高数的部分和线代还有一个高数361吧，代表的是同济版的高等数学，难度和高教版差不多，侧重方向不同高等数学601强军计划的研究生。。。。602高等数学（高等数学一般是指微积分）是学校自命题，要与学校联系，看考试范围数学一：包含线代，高数，概率。适用的学科为：1．工学门类的力学、机械工程、光学工程、仪器科学与技术、冶金工程、动力工程及工程热物理、电气工程、电子科学与技术、信息与通信工程、控制科学与工程、计算机科学与技术、土木工程、水利工程、测绘科学与技术、交通运输工程、船舶与海洋工程、航空宇航科学与技术、兵器科学与技术、核科学与技术、生物医学工程等一级学科中所有的二级学科、专业． 2．工学门类的材料科学与工程、化学工程与技术、地质资源与地质工程、矿业工程、石油与天然气工程、环境科学与工程等一级学科中对数学要求较高的二级学科、专业． 3．管理学门类中的管理科学与工程一级学科按此划分，绝大多数院校的计算机专业都会选择考数学一，这也是从事计算机所必须的最低数学功底。数学二：包含线代，高数。适用的学科为：1．工学门类的纺织科学与工程、轻工技术与工程、农业工程、林业工程、食品科学与工程等一级学科中所有的二级学科、专业． 2．工学门类的材料科学与工程、化学工程与技术、地质资源与地质工程、矿业工程、石油与天然气工程、环境科学与工程等一级学科中对数学要求较低的二级学科、专业． 数学三：常被称为经济数学，包含线代，概率，高数。适用学科为：1．经济学门类的应用经济学一级学科中统计学、数量经济学二级学科、专业． 2．管理学门类的工商管理一级学科中企业管理、技术经济及管理二级学科、专业． 3．管理学门类的农林经济管理一级学科中对数学要求较高的二级学科、专业
MHC I类分子和MHC II类分子的结构、功能及表达情况有哪些不同
一、MHC-I类分子
（一）MHC Ⅰ类分子的结构
人类的类分子由hla的a、b、c、e、f、g、h、k和l等基因编码；但因后几类基因的性质和作用尚不清楚，所以目前所称的类分子主要指hla-a、b、c位点的抗原。
Ⅰ类分子是由非共价键连接的两条肽链组成的糖蛋白；其中一条称为重链或α链，另一条为轻链或称为β2微球蛋白（β2m）。α链的分子量为44kd，结构呈多态性；其羧基端穿过细胞膜，伸入胞浆之中，氨基端则游离于细胞膜外（图6-3）。α链的膜外区肽段折叠形成三个功能区，分别称为α1、α2、和α3区；每个功能区约含90个氨基酸残基，其结构与ig相似；α1和α2区的氨基酸顺序变化较大，决定着Ⅰ类分子的多态性。β2m不mhc基因编码，而是第15号染色体上单个基因编码的产物，分子量12kd。其结构与ig恒定区（ch3）有较大同源性，属于ig超族成员，没有同种异型决定簇，但具有种属特异性。β2m不穿过细胞膜，也不与细胞膜接触，而是以非共价形式附着于α3的功能区上。虽然β2m不直接参与Ⅰ类分子的抗原递呈过程，但是它能促进内质网中新合成的Ⅰ类分子向细胞表面运输，并对稳定Ⅰ类分子的结构具有一定作用。 利用x线结晶衍射图分析，阐明了Ⅰ类分子的三维结构：α1和α2功能区共同构成了槽形的抗原肽段结合部位，来自α1和α2的8条反向平行的β片层结构组成槽的底部；而α1和α2功能区的其余部分各自形成一个α-螺旋，两条螺旋相互毗邻，相互平行，在分子的远端共同构成槽的侧壁；槽的底部和侧壁体现Ⅰ类分子的多肽性，也决定了Ⅰ类分子与抗原结合的特异性；α3功能区具有与cd8分子结合的空间构型。 Ⅰ类分子与抗原的结合有一定的选择性，但是没有抗体和tcr与抗原结合的特异性高。Ⅰ类分子的抗原结合槽能够容纳8～10个氨基酸长度的抗原片段，其抗原结合点主要与氨基酸顺序相对恒定的抗原肽段的骨干结合，而将抗原肽段上多变的氨基酸侧链处于游离状态；这些侧链却能与tcr和抗体结合。每个细胞表面可以表达约10个Ⅰ类分子，每个Ⅰ类分子都能与相当各类的抗原肽段结合。因此每个细胞都具有同时递呈许多不同抗原的潜力，从而保证一个正常的个体对绝大多数抗原发生Ⅰ类限制性的免疫应答。
（二）MHC Ⅰ类分子的分布和功能
mhcⅠ类分子分布于几乎所有有核细胞表面，但不同组织细胞的表达水平差异很大：淋巴细胞表面Ⅰ类抗原的密度最高，肾、肝、肺、心及皮肤次之，肌肉、神经组织和内分泌细胞上抗原最少，而成熟红细胞、胎盘滋养层细胞上未能检出，血清、尿液中及初乳等体液中也有可溶性形式存在的Ⅰ类抗原。干扰素、肿瘤坏死因子在体内外均可增强各种细胞对Ⅰ类分子的表达。
Ⅰ类分子的重要生理功能是对cd8t细胞的抗原识别功能起限制性作用，也就是参与向cd8t细胞递呈抗原的过程。cd8t细胞只能识别与相同Ⅰ类分子结合的抗原（多为内源性的细胞抗原，如病毒感染的细胞和肿瘤细胞等），这种现象称为mhc限制性。例如，当病毒感染了某个细胞，病毒抗原可被分解成一些短肽片段，后者与在内质网中合成的Ⅰ类分子结合后表达于细胞表面，才能被cd8t细胞识别。Ⅰ类分子主要介导tc细胞的细胞毒作用，也是重要的移植抗原。
二、MHC-II类分子
（一）MHC Ⅱ类分子的结构
人类的mhcⅡ类分子由hla复合体中的d区基因编码，已经明确的Ⅱ类分子包括hla-dr、dp和dq抗原。Ⅱ类分子亦是由非共价连接的两条多肽链组成，分别称为α链和β链；与Ⅰ类分子不同的是，两条链均由hla基因编码。α链的分子量约34kd，β链约29kd；两条肽链均嵌入细胞膜，伸入胞质之中；其膜外区各有两个ig样的功能区，分别称为α1、α2、β1和β2功能区。 x线结晶衍射图显示，Ⅱ类分子的α1和β1功能区共同形成一个与Ⅰ类分子相似的槽型结构的多肽结合区。1和β1各有一个螺旋，形成槽的两侧壁，其余部分形成片层，构成槽的底部。Ⅱ类分子的多态性也体现在多肽结合槽的侧壁和底部，所以其空间构型依编码基因的不同而异。类分子的抗原结合特性亦与Ⅰ类分子一样，特异性不强，每个分子可能与多种肽片结合；但与Ⅰ类分子不同的是，Ⅱ类分子肽结合槽的两端呈开放状（Ⅰ类分子的结合槽两端呈封闭状），能够容纳较长（10～18个氨基酸残基）的肽段。
（二）MHC Ⅱ类分子的分布和功能
Ⅱ类分子的分布比较局限，主要表达于b细胞、单核－巨噬细胞和树突状细胞等抗原递呈细胞上，精子细胞和某些活化的t细胞上也有Ⅱ类分子。一些在正常情况下不表达Ⅱ类分子的细胞，在免疫应答过程中亦可受细胞因子的诱导表达Ⅱ类分子，因此Ⅱ类分子的表达被看成是抗原递呈能力的标志。il-1、il-2和干扰素在体内外均能增强Ⅱ类分子的表达。有些组织在病理条件下也可表达一些类抗原，如胰岛β细胞、甲状腺细胞等。
Ⅱ类分子的功能主要是在免疫应答的始动阶段将经过处理的抗原片段递呈给cd4t细胞。正如cd8t细胞只能识别与mhcⅠ类分子结合的抗原片段一样，cd4t细胞只能识别Ⅱ类分子结合的抗原片段。Ⅱ类分子主要参与外源性抗原的递呈，在一些条件下也可递内源性抗原。在组织或器官移植过程中，Ⅱ类分子是引起移植排斥反应的重要靶抗原，包括引起宿主抗移植物反应（hvgr）和移植物抗宿主反应（gvhr）。在免疫应答中，Ⅱ类抗原主要是协调免疫细胞间的相互作用，调控体液免疫和细胞免疫应答。
内部数据存储器RAM是怎样划分的？分别作什么用？
RAM（随机存取存储器） RAM -random access memory 随机存储器 存储单元的内容可按需随意取出或存入，且存取的速度与存储单元的位置无关的存储器。这种存储器在断电时将丢失其存储内容，故主要用于存储短时间使用的程序。 按照存储信息的不同，随机存储器又分为静态随机存储器（Static RAM,SRAM)和动态随机存储器（Dynamic RAM,DRAM)。 1、随机存储器特点 ①随机存取 所谓“随机存取”，指的是当存储器中的消息被读取或写入时，所需要的时间与这段信息所在的位置无关。相对的，读取或写入顺序访问（Sequential Access）存储设备中的信息时，其所需要的时间与位置就会有关系（如磁带）。 ②易失性 当电源关闭时RAM不能保留数据。如果需要保存数据，就必须把它们写入一个长期的存储设备中（例如硬盘）。RAM和ROM相比，两者的最大区别是RAM在断电以后保存在上面的数据会自动消失，而ROM不会。 ③高访问速度 现代的随机存取存储器几乎是所有访问设备中写入和读取速度最快的，取存延迟也和其他涉及机械运作的存储设备相比，也显得微不足道。 ④需要刷新 现代的随机存取存储器依赖电容器存储数据。电容器充满电后代表1(二进制)，未充电的代表0。由于电容器或多或少有漏电的情形，若不作特别处理，数据会渐渐随时间流失。刷新是指定期读取电容器的状态，然后按照原来的状态重新为电容器充电，弥补流失了的电荷。需要刷新正好解释了随机存取存储器的易失性。 ⑤对静电敏感 正如其他精细的集成电路，随机存取存储器对环境的静电荷非常敏感。静电会干扰存储器内电容器的电荷，引致数据流失，甚至烧坏电路。故此触碰随机存取存储器前，应先用手触摸金属接地。 2、RAM ROM 内存的区别 rom -read only memory 只读存储器 ①简单地说，在计算机中，RAM 、ROM都是数据存储器。RAM 是随机存取存储器，它的特点是易挥发性，即掉电失忆。ROM 通常指固化存储器(一次写入，反复读取)，它的特点与RAM 相反。ROM又分一次性固化、光擦除和电擦除重写两种类型。 ②什么是内存呢？ 在计算机的组成结构中，有一个很重要的部分，就是存储器。存储器是用来存储程序和数据的部件，对于计算机来说，有了存储器，才有记忆功能，才能保证正常工作。存储器的种类很多，按其用途可分为主存储器和辅助存储器，主存储器又称内存储器（简称内存），辅助存储器又称外存储器（简称外存）。外存通常是磁性介质或光盘，像硬盘，软盘，磁带，CD等，能长期保存信息，并且不依赖于电来保存信息，但是由机械部件带动，速度与CPU相比就显得慢的多。内存指的就是主板上的存储部件，是CPU直接与之沟通，并用其存储数据的部件，存放当前正在使用的（即执行中）的数据和程序，它的物理实质就是一组或多组具备数据输入输出和数据存储功能的集成电路，内存只用于暂时存放程序和数据，一旦关闭电源或发生断电，其中的程序和数据就会丢失。 从一有计算机开始，就有内存。内存发展到今天也经历了很多次的技术改进，从最早的DRAM一直到FPMDRAM、EDODRAM、SDRAM等，内存的速度一直在提高且容量也在不断的增加。今天，服务器主要使用的是什么样的内存呢？目前，IA架构的服务器普遍使用的是REGISTEREDECCSDRAM。 既然内存是用来存放当前正在使用的（即执行中）的数据和程序，那么它是怎么工作的呢？我们平常所提到的计算机的内存指的是动态内存（即DRAM），动态内存中所谓的“动态”，指的是当我们将数据写入DRAM后，经过一段时间，数据会丢失，因此需要一个额外设电路进行内存刷新操作。具体的工作过程是这样的：一个DRAM的存储单元存储的是0还是1取决于电容是否有电荷，有电荷代表1，无电荷代表0。但时间一长，代表1的电容会放电，代表0的电容会吸收电荷，这就是数据丢失的原因；刷新操作定期对电容进行检查，若电量大于满电量的1／2，则认为其代表1，并把电容充满电；若电量小于1／2，则认为其代表0，并把电容放电，藉此来保持数据的连续性。
天津市有几个区？分别叫什么？
有16个区。截至2019年4月，天津市下辖16个区（滨海新区、和平区、河北区、河东区、河西区、南开区、红桥区、东丽区、西青区、津南区、北辰区、武清区、宝坻区、静海区、宁河区、蓟州区），共有124个镇、3个乡、118个街道，3680个村委会和1645个居委会。
1、和平区
位于天津市区中部，海河干流西岸，东起海河，与河东区相望；沿南门外大街、卫津路与南开区接壤，南抵徐州道、马场道、津河与河西区接壤，北部与河北区以海河、南马路为界，辖区东西最宽处3.72千米，南北最长处4.2千米，总面积9.98平方千米。
截至2018年，和平区辖6个街道（64个社区）：南市街道、劝业场街道、南营门街道、小白楼街道、五大道街道、新兴街道，区政府驻小白楼街道。
2、河东区
是天津市中心城区，是中心城区连接滨海新区的起始点，毗邻空港、海港，天津站交通枢纽坐落区内。隔海河与和平区、河西区相邻，向东与东丽区为伴，西、北与河北区相交。
截至2016年，河东区区域面积39.63平方公里（不包括天铁街道）辖13个街道：大王庄街道、大直沽街道、中山门街道、富民路街道、二号桥街道、春华街道、唐家口街道、向阳楼街道、常州道街道、上杭路街道、东新街道、鲁山道街道、天津铁厂街道。
3、河西区
是天津市的中心区之一，位于市区东南部，因地处海河西岸而得名。河西区境东临海河与河东区相望，西起卫津南路、卫津河与南开区、西青区交界，南沿双林农场引水河与津南区毗邻，北抵徐州道、马场道、津河与和平区接壤。
截至2013年，河西区辖13个街道办事处：大营门街道、下瓦房街道、桃园街道、挂甲寺街道、马场街道、越秀路街道、友谊路街道、天塔街道、尖山街道、陈塘庄街道、柳林街道、东海街道、梅江街道。
4、南开区
位于中国天津市城区西南部，东起海河，与河北区相望；沿荣吉大街、兴安路、南马路至南门外大街、卫津路和卫津南路，分别与和平区、河西区接壤；西、南至密云路、芥园西道、陈塘庄铁路支线，与西青区相连；北抵老铁桥大街、北马路，沿西马路至西关大街、墙子河、南运河，与红桥区毗邻。
南开区总面积40.42平方公，东西长约3.6公里，南北长约9.2公里。截至2013年，南开区辖12个街道：长虹街道、鼓楼街道、兴南街道、广开街道、万兴街道、学府街道、向阳路街道、嘉陵道街道、王顶堤街道、水上公园街道、体育中心街道、华苑街道。
5、河北区
地处天津市区东北部，境域地理坐标为北纬39°08′，东经117°10′。区界东邻东丽区，西部与和平区、南开区、红桥区以海河为界，南与河东区相连，北与北辰区接壤。行政区划面积27.93平方公里，南北长6.94公里，东西宽7.95公里，行政管辖面积为29.14平方公里。
截至2014年6月，河北区辖10个街道：光复道街道、望海楼街道、鸿顺里街道、新开河街道、铁东路街道、建昌道街道、宁园街道、王串场街道、江都路街道、月牙河街道。
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三极管的集电区.发射区 . 基区分别有什么作用?
1、发射区向基区发射电子
电源Ub经过电阻Rb加在发射结上，发射结正偏，发射区的多数载流子(自由电子）不断地越过发射结进入基区，形成发射极电流Ie。同时基区多数载流子也向发射区扩散，但由于多数载流子浓度远低于发射区载流子浓度，可以不考虑这个电流，因此可以认为发射结主要是电子流。
2、基区中电子的扩散与复合
电子进入基区后，先在靠近发射结的附近密集，渐渐形成电子浓度差，在浓度差的作用下，促使电子流在基区中向集电结扩散，被集电结电场拉入集电区形成集电极电流Ic。也有很小一部分电子（因为基区很薄）与基区的空穴复合，扩散的电子流与复合电子流之比例决定了三极管的放大能力。
3、集电区收集电子
由于集电结外加反向电压很大，这个反向电压产生的电场力将阻止集电区电子向基区扩散，同时将扩散到集电结附近的电子拉入集电区从而形成集电极主电流Icn。另外集电区的少数载流子（空穴）也会产生漂移运动，流向基区形成反向饱和电流，用Icbo来表示，其数值很小，但对温度却异常敏感。
扩展资料
晶体三极管有两个pn结：发射结和收集结；分为3个区：发射区、基区和集电区；对应引出的3个电极分别称为发射极、基极和集电极；基区在制作上要比其他两区薄得多，发射区的掺杂要比基区重得多。
在npn型晶体管工作时，发射极加正向偏置，使发射结势垒降低，发射区的电子源源不断地越过pn结注入基区，形成发射电流Ie，这个过程发射区电子的扩散运动起主导作用。当然，基区的空穴也存在向发射区的扩散运动，但因其浓度比发射区电子浓度小得多，通常可以忽略。
注入到基区的电子有一小部分与基区的空穴复合形成基极电流Ib，它是由两种载流子共同起作用的结果，这也是双极晶体管名称的来源。
注入到基区的大部分电子不会被复合 (因基区掺杂浓度低得多)经扩散和漂移抵达集电结被反向偏置的集电极吸收成为集电极电流Ie，因此集电极电流Ic比基极电流Ib大得多，这就是晶体管作用 (放大) 的基础。
参考资料来源：搜狗百科-基极
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