初学者HTML

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汇编语言中 JNB的用法是什么啊？

JNB指令的格式： JNB  bit ，rel；用法是，判断bit位，即直接寻址位，为“0”则转移，否则顺序执行。
这段程序中JNB的用法是，判断ACC.7，即ACC的第7位，如果为“0”，则跳转到POST程序处，反之，顺序执行。
JNB指令是判位转移指令的一种，以标志位的状态或者以标志位的逻辑运算结果作为转移依据，如果满足转移条件，则转到目标地址所指示的指令，执行否则继续执行下一条指令。
必须指出，条件转移指令转移地址的偏移量限制在-128～+127字节范围内，采用相对转移方式（相对转移指令是指跳转时以当前地址为基准加上相对偏移量进行跳转，一般是在本地址段内跳转。如果需要跳转到较远的地方如跳到另一个地址段，就需要加上跳转的目标段地址）。

扩展资料
汇编语言优缺点：
优点
汇编语言作为机器语言之上的第二代编程语言：
1)可以轻松的读取存储器状态以及硬件I/O接口情况
2）编写的代码因为少了很多编译的环节，可以能够准备的被执行
3）作为一种低级语言，可扩展性很高 。
缺点
1）因为代码非常单调，特殊指令字符很少，所以造成了代码的冗长以及编写的困难
2）因为汇编仍然需要自己去调用存储器存储数据，很容易出现BUG，而且调试起来也不容易
3）就算完成了一个程序，后期维护时候也需要耗费大量的时间。
4）因为机器的特殊性造成了代码兼容性差的缺陷。 
参考资料来源：《单片机初级教程--单片机基础》 张迎新 杜小平等编著  北京航空航天大学出版社
第四章 80C51的指令系统  4.7 位操作类指令
参考资料来源：百度百科--条件转移指令

高等代数。基础解系怎么求？要通用的方法。求AX=0的基础解系。

1、如何求基础解系：
设n为未知量个数，r为矩阵的秩。只要找到齐次线性方程组的n-r 个自由未知量，就可以获得它的基础解系。具体地说，我们先通过初等行变换把系数矩阵化为阶梯形，那么阶梯形的非零行数就是系数矩阵的秩。把每一个非零行最左端的未知量保留在方程组的左端，其余n-r 个未知量移到等式右端，再令右端 n-r个未知量其中的一个为1，其余为零，这样可以得到 n-r个解向量，这 n-r个解向量构成了方程组的基础解系。
2、AX=0的基础解系，例如：
（1）1 2 -3 -2
-2 3 5 4
-3 8 7 6
解: A-->
r2+2r1,r3+3r1,r2*(1/7)
1 2 -3 -2
0 7 -1 0
0 14 -2 0
r3-2r2
1 2 -3 -2
0 1 -1/7 0
0 0 0 0
r1-2r2
1 0 -19/7 -2
0 1 -1/7 0
0 0 0 0
基础解系为: a1=(19,1,7,0), a2=(2,0,0,1)
通解为: c1a1+c2a2, c1,c2为任意常数.

(三极管)VCC,Vceo,Vcbo,Vebo,Icm,Pcm,ft mHZ分别代表什么?以及是否还有其他的?请给详解一下三极管,谢谢

以下是我的收藏：奉献给你吧！

三极管的参数解释
△ λ---光谱半宽度
△VF---正向压降差
△Vz---稳压范围电压增量
av---电压温度系数
a---温度系数
BV cer---基极与发射极串接一电阻，CE结击穿电压
BVcbo---发射极开路，集电极与基极间击穿电压
BVceo---基极开路，CE结击穿电压
BVces---基极与发射极短路CE结击穿电压
BVebo--- 集电极开路EB结击穿电压
Cib---共基极输入电容
Cic---集电结势垒电容
Cieo---共发射极开路输入电容
Cies---共发射极短路输入电容
Cie---共发射极输入电容
Cjo/Cjn---结电容变化
Cjo---零偏压结电容
Cjv---偏压结电容
Cj---结（极间）电容， 表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容
CL---负载电容（外电路参数）
Cn---中和电容（外电路参数）
Cob---共基极输出电容。在基极电路中，集电极与基极间输出电容
Coeo---共发射极开路输出电容
Coe---共发射极输出电容
Co---零偏压电容
Co---输出电容
Cp---并联电容（外电路参数）
Cre---共发射极反馈电容
Cs---管壳电容或封装电容
CTC---电容温度系数
CTV---电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比
Ct---总电容
Cvn---标称电容
di/dt---通态电流临界上升率
dv/dt---通态电压临界上升率
D---占空比
ESB---二次击穿能量
fmax---最高振荡频率。当三极管功率增益等于1时的工作频率
fT---特征频率
f---频率
h RE---共发射极静态电压反馈系数
hFE---共发射极静态电流放大系数
hfe---共发射极小信号短路电压放大系数
hIE---共发射极静态输入阻抗
hie---共发射极小信号短路输入阻抗
hOE---共发射极静态输出电导
hoe---共发射极小信号开路输出导纳
hre---共发射极小信号开路电压反馈系数
IAGC---正向自动控制电流
IB2---单结晶体管中的基极调制电流
IBM---在集电极允许耗散功率的范围内，能连续地通过基极的直流电流的最大值，或交流电流的最大平均值
IB---基极直流电流或交流电流的平均值
Icbo---基极接地，发射极对地开路，在规定的VCB反向电压条件下的集电极与基极之间的反向截止电流
Iceo---发射极接地，基极对地开路，在规定的反向电压VCE条件下，集电极与发射极之间的反向截止电流
Icer---基极与发射极间串联电阻R，集电极与发射极间的电压VCE为规定值时，集电极与发射极之间的反向截止电流
Ices---发射极接地，基极对地短路，在规定的反向电压VCE条件下，集电极与发射极之间的反向截止电流
Icex---发射极接地，基极与发射极间加指定偏压，在规定的反向偏压VCE下，集电极与发射极之间的反向截止电流
ICMP---集电极最大允许脉冲电流
ICM---集电极最大允许电流或交流电流的最大平均值。
ICM---最大输出平均电流
Ic---集电极直流电流或交流电流的平均值
IDR---晶闸管断态平均重复电流
ID---暗电流
IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流
IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流
Iebo---基极接地，集电极对地开路，在规定的反向电压VEB条件下，发射极与基极之间的反向截止电流
IEM---发射极峰值电流
IE---发射极直流电流或交流电流的平均值
IF（AV）---正向平均电流
IF(ov)---正向过载电流
IFM（IM）---正向峰值电流（正向最大电流）。在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。发光二极管极限电流。
IFMP---正向脉冲电流
IFRM---正向重复峰值电流
IFSM---正向不重复峰值电流（浪涌电流）
IF---正向直流电流（正向测试电流）。锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流
iF---正向总瞬时电流
IGD---晶闸管控制极不触发电流
IGFM---控制极正向峰值电流
IGT---晶闸管控制极触发电流
IH---恒定电流、维持电流。
Ii--- 发光二极管起辉电流
IL---光电流或稳流二极管极限电流
IOM---最大正向（整流）电流。在规定条件下，能承受的正向最大瞬时电流；在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗检波二极管的最大工作电流
Iop---工作电流
Io---整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流
IP---峰点电流
IR（AV）---反向平均电流
IR（In）---反向直流电流（反向漏电流）。在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。
IRM---反向峰值电流
Irp---反向恢复电流
IRRM---反向重复峰值电流
IRR---晶闸管反向重复平均电流
IRSM---反向不重复峰值电流（反向浪涌电流）
ir---反向恢复电流
iR---反向总瞬时电流
ISB---二次击穿电流
Is---稳流二极管稳定电流
IV---谷点电流
Izk---稳压管膝点电流
IZM---最大稳压电流。在最大耗散功率下稳压二极管允许通过的电流
IZSM---稳压二极管浪涌电流
Iz---稳定电压电流（反向测试电流）。测试反向电参数时，给定的反向电流
n---电容变化指数；电容比
PB---承受脉冲烧毁功率
PCM---集电极最大允许耗散功率
Pc---集电极耗散功率
PC---控制极平均功率或集电极耗散功率
Pd---耗散功率
PFT（AV）---正向导通平均耗散功率
PFTM---正向峰值耗散功率
PFT---正向导通总瞬时耗散功率
PGM---门极峰值功率
PG---门极平均功率
Pi---输入功率
Pi---输入功率
PK---最大开关功率
PMP---最大漏过脉冲功率
PMS---最大承受脉冲功率
PM---额定功率。硅二极管结温不高于150度所能承受的最大功率
Pn---噪声功率
Pomax---最大输出功率
Posc---振荡功率
Po---输出功率
Po---输出功率
PR---反向浪涌功率
Psc---连续输出功率
PSM---不重复浪涌功率
Ptot---总耗散功率
Ptot---总耗散功率
PZM---最大耗散功率。在给定使用条件下，稳压二极管允许承受的最大功率
Q---优值（品质因素）
r δ---衰减电阻
R(th)ja----结到环境的热阻
R(th)jc---结到壳的热阻
r(th)---瞬态电阻
rbb分钟Cc---基极-集电极时间常数，即基极扩展电阻与集电结电容量的乘积
rbb分钟---基区扩展电阻（基区本征电阻）
RBB---双基极晶体管的基极间电阻
RBE---外接基极-发射极间电阻（外电路参数）
RB---外接基极电阻（外电路参数）
Rc ---外接集电极电阻（外电路参数）
RE---射频电阻
RE---外接发射极电阻（外电路参数）
RF（r）---正向微分电阻。在正向导通时，电流随电压指数的增加，呈现明显的非线性特性。在某一正向电压下，电压增加微小量△V，正向电流相应增加△I，则△V/△I称微分电阻
RG---信号源内阻
rie---发射极接地，交流输出短路时的输入电阻
RL---负载电阻
RL---负载电阻（外电路参数）
roe---发射极接地，在规定VCE、Ic或IE、频率条件下测定的交流输入短路时的输出电阻
Rs(rs)----串联电阻
Rth---热阻
Rth----热阻
Rz(ru)---动态电阻
Ta---环境温度
Ta---环境温度
Tc---管壳温度
Tc---壳温
td---延迟时间
td----延迟时间
tfr---正向恢复时间
tf---下降时间
tf---下降时间
tgt---门极控制极开通时间
tg---电路换向关断时间
Tjm---最大允许结温
Tjm---最高结温
Tj---结温
toff---关断时间
toff---关断时间
ton---开通时间
ton---开通时间
trr---反向恢复时间
tr---上升时间
tr---上升时间
tstg---温度补偿二极管的贮成温度
Tstg---贮存温度
ts---存储时间
ts---存贮时间
Ts---结温
V n---噪声电压
V v---谷点电压
V（BR）---击穿电压
VAGC---正向自动增益控制电压
VB2B1---基极间电压
VBB---基极（直流）电源电压（外电路参数）
VBE(sat)---发射极接地，规定Ic、IB条件下，基极-发射极饱和压降（前向压降）
VBE10---发射极与第一基极反向电压
VBE---基极发射极（直流）电压
VB---反向峰值击穿电压
VCBO---基极接地，发射极对地开路，集电极与基极之间在指定条件下的最高耐压
VCB---集电极-基极（直流）电压
Vcc---集电极（直流）电源电压（外电路参数）
VCE(sat)---发射极接地，规定Ic、IB条件下的集电极-发射极间饱和压降
VCEO---发射极接地，基极对地开路，集电极与发射极之间在指定条件下的最高耐压
VCER---发射极接地，基极与发射极间串接电阻R，集电极与发射极间在指定条件下的最高耐压
VCES---发射极接地，基极对地短路，集电极与发射极之间在指定条件下的最高耐压
VCEX---发射极接地，基极与发射极之间加规定的偏压，集电极与发射极之间在规定条件下的最高耐压
VCE---集电极-发射极（直流）电压
Vc---整流输入电压
VDRM---断态重复峰值电压
VEBO---基极接地，集电极对地开路，发射极与基极之间在指定条件下的最高耐压
VEB---饱和压降
VEE---发射极（直流）电源电压（外电路参数）
VF（AV）---正向平均电压
VFM---最大正向压降（正向峰值电压）
VF---正向压降（正向直流电压）
VGD---门极不触发电压
VGFM---门极正向峰值电压
VGRM---门极反向峰值电压
VGT---门极触发电压
Vk---膝点电压（稳流二极管）
VL ---极限电压
Vn(p-p)---输入端等效噪声电压峰值
Vn---中心电压
VOM---最大输出平均电压
Vop---工作电压
Vo---交流输入电压
Vp---穿通电压。
Vp---峰点电压
VRM---反向峰值电压（最高测试电压）
VRRM---反向重复峰值电压（反向浪涌电压）
VRWM---反向工作峰值电压
VR---反向工作电压（反向直流电压）
VSB---二次击穿电压
Vs---通向电压（信号电压）或稳流管稳定电流电压
Vth---阀电压（门限电压）
Vz---稳定电压
δvz---稳压管电压漂移
η---单结晶体管分压比或效率
λp---发光峰值波长