近年来，新奇拓扑材料引起了广泛的科学界和工业界的兴趣和研究，这些材料展示出了一系列令人惊奇的电子性质，对于未来的电子学器件和量子计算有着巨大的潜在应用价值。2023年迄今为止，我院在新奇拓扑物态相关领域取得了系列研究进展，并在物理学国际权威期刊发表了多篇论文。

(1)由第二类陈数刻画的四维拓扑安德森绝缘体

我院周斌教授团队在国际权威期刊Physical Review B发表了题为“Four-dimensional topological Anderson insulator with an emergent second Chern number”的研究论文。

四维拓扑绝缘体是一种理论上设想的拓扑绝缘体，其中有着受到拓扑保护的三维边缘态。然而，四维拓扑绝缘体在实际材料中并不可能存在。随着超材料的发展，四维拓扑绝缘体已经在多个人造晶格中实现，引起了人们的广泛关注。另外，无序在低维（d≤3）拓扑绝缘体态中的作用得到了广泛的研究。然而，关于无序在四维拓扑绝缘体中的作用却少有研究。该研究团队研究了无序在四维拓扑绝缘体中的作用。结果表明四维拓扑绝缘体态对于无序具有一定的稳定性，并首次发现了四维拓扑安德森绝缘体相。这些研究进展为进一步理解和研究四维拓扑绝缘体提供了重要的思路和方法。

论文合作者包括我院周斌教授、青年教师陈锐及博士研究生易晓霞。

Rui Chen, Xiao-Xia Yi, and Bin Zhou, Four-dimensional topological Anderson insulator with an emergent second Chern number,Physical Review B108, 085306 (2023)

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