《模拟电子技术基础》期中考试
专业：__________________班级：______任课教师：
姓名：__________________学号：_____________________得分：
考试说明
1.推荐使用计算器，并独立完成。
2.本试卷包含5个大题，29个小题。全卷满分100分，考试用时150分钟。
一、选择题（选择正确答案填入空内，只需填入A、B、C、D。本大题共10分，共计5小题，每小题2分）
1.多级放大电路如图所示。试选择正确的答案填空。
1．VT1构成放大电路组态；A.共射
2．VT2构成放大电路组态；B.共集
3．VT3构成放大电路组态。C.共基
2.从括号中选择正确的答案，用A、B、C填空。
在某放大电路中，测得晶体管的三个电极①、②、③的流入电流分别为－1.22mA、0.02mA、1.2mA。
由此可判断电极①是____，电极②是____，电极③是____（A．发射极，B．基极，C．集电极）；
该晶体管的类型是____（A．PNP型，B．NPN型）；
该晶体管的共射电流放大系数约为____（A．40，B．60，C．100）。
3.选择正确答案用A、B填空：
共射放大电路即能放大____，也能放大____；共集放大电路能放大____；但不能放大____；共基放大电路能放大____，但不能放大____。A.电压B.电流
4.拟用晶体管构成一个三极放大电路，要求从信号源索取的信号电流要小，带负载能力要强，电压放大倍数要大，试选择正确答案填空。
1．输入级选用____；A.共射放大电路
2．中间级选用____；B.共基放大电路
3．输出级选用____。C.共集放大电路
5.放大电路如图所示，在下表列出的Rc、Re的数值中，哪几组能保证该电路具备不失真放大能力（）。
二、是非题（判断下列说法是否正确，凡对者打“√”，错者打“×”。本大题共15分，共计5小题，每小题3分）
6.判断下列说法的正、误，在相应的括号内画√表示正确，画×表示错误。
（1）半导体中的空穴是：①半导体中的晶格缺陷形成的；（）
②电子脱离共价键后留下的空位；（）
③带正电的离子。（）
（2）本征半导体在温度升高后，
①自由电子和空穴数目都不变；（）
②自由电子和空穴数目都增加，但增量相同。（）
7.试就多级放大电路的输入电阻和输出电阻判断下列说法是否正确，正确的在括号中画“√”，不正确的画“×”。
1．如果输入级是共射放大组态，则输入电阻只与输入级有关。（）
2．如果输入级是共集放大组态，则输入电阻还与后级有关。（）
3．如果输出级是共射放大组态，则输出电阻只与输出级有关。（）
4．如果输出级是共集放大组态，则输出电阻还与前级有关。（）
8.判断下列说法是否正确，正确的在括号中画“√”，否则画“×”。
1．阻容耦合放大电路，只能放大交流信号，不能放大直流信号。（）
2．直接耦合放大电路，只能放大直流信号，不能放大交流信号。（）
3．变压器耦合放大电路，只能放大交流信号，不能放大直流信号。（）
4．集成电路中间级的耦合方式均采用直接耦合方式。（）
9.判断下面几种测量放大电路输入电阻的方法是否正确，用“√”表示正确，用“×”表示错误。（设信号的大小不致引起非线性失真）
1．在放大电路通电情况下，用欧姆表量输入端对地的电阻值。（）
2．把放大电路断电后，用欧姆表量输入端对地的电阻值。（）
3．在放大电路通电情况下，测量输入电压Ui和输入电流iI，再计算Ri＝Ui/iI。（）
10.放大电路如图所示：
调整Rb使UCEQ＝6V。判断以下说法的正误，在括号中画√表示正确，画×表示错误。随输入信号幅度增大，输出电压
1．首先出现饱和失真；（）
2．首先出现截止失真；（）
3．将同时发生饱和失真和截止失真。（）
三、改错题（改正图中连线错误，使电路能够正常工作。本大题共15分，共计5小题，每小题3分）
11.判断下面句子中带有底划线的词语是否正确，若不正确，则在其后括号内填入正确词语。
在PN结中，P区的电势比N区高（）；未加外部电压时，PN结中空穴的扩散运动方向是从P区到N区（），空穴的漂移运动方向是从N区到P区（），参与扩散运动的载流子数量大于（）参与漂移运动的载流子数量。
12.将图中各电路错误的电源极性改正，使晶体管能工作在线性放大区。
13.两级直接耦合放大电路如图所示，某学生在静态（Iu＝0V）测试时，测得uO较小，为了使静态时，uO较大，该学生将Rc2阻值减小，你认为他这样调节合适吗？为什么？
14.判断下面句子中带有底划线的词语是否正确，若不正确，则在其后括号内填入正确的词语。电路如图所示：
调节图示电路中的RW，使晶体管处于临界饱和状态。此时，如果增大Rb，晶体管的饱和深度将增加（）；如果减小Rc，晶体管将脱离饱和（）；如果换用β大的管子，晶体管的临界饱和状态基本不变（）；如果增大VCC，晶体管的临界饱和状态基本不变（）。
15.判断下面句子中带有底划线的词语是否正确，若不正确，则在其后括号内填入正确词语。
N型半导体中多数载流子是自由电子（），P型半导体中多数载流子是正离子（）；
N型半导体带负电（），P型半导体带正电（）。
四、填空题（将正确答案填写在横线上。本大题共20分，共计10小题，每小题2分）16.填空：已知某晶体管的PCM＝800mW，ICM＝500mA,，U(BR)CEO＝30V。若该管子在电路中工作电压UCE＝10V，则工作电流IC不应超过_______________mA；若UCE＝1V，则IC不应超过_______________mA。若管子的工作电流IC＝10mA，则工作电压UCE不应超过_______________V；若IC＝200mA，则UCE不应超过_______________V。
17.已知某两级大电路的第一级电压增益为20dB，第二级电压增益为40dB，则总增益为________________dB，相当于电压放大倍数为________________倍。
18.填空：在20℃下测得某晶体管的β＝100，ICEO=10μΑ。试问，此时该管子的ICBO约为_________________；当温度下降至10℃时，该管子的CEOI约为__________________。
19.定性判断图中哪些电路不具备正常的放大能力，并指出不能放大的理由（从下面列出的理由选择正确答案，用A、B、C„回答）。
A．VCC极性不正确；
B．输入回路偏置不正确；
C．输入信号被短路；
D．输出信号被短路；
E．通电后，晶体管将因过流而损坏。
20.试填写下列空格：
1．在三级放大电路中，已知各级电压放大倍数分别是|Au1|=25、|Au2|=100、|Au3|=40，则三级放大电路|Au|= 折合为 dB。
2．在三级放大电路中，已知各级电压增益分别是20dB、25dB、35dB，则三级放大电路总增益为dB，折合为 倍。
3．在多级放大电路中，后一级的输入电阻可视为前一级的 ，而前一级的输出电阻可视为后一级的 。
4．在计算两级放大电路中第一级电压放大倍数Au1&时，应把第二级的作为第一级的负载，而在计算第二级放大倍数Au2时，不应把第一级的作为第二及的信号源内阻，这时两级放大电路的Au＝ 。
21.设图中的二极管和三极管均为硅管，三极管的β均为100，试判断各三极管的工作状态（饱和、截止、放大）。
22.试为图示晶体管多级放大电路结构框图，选用合适的单元电路（即共射、共集、共基组态）填入框内，以使该多级放大电路有尽可能大的源电压放大倍数Au=Uo/Us。
23.填空：晶体管的ICBO是指________________极开路时，________________极与________________极间的反向饱和电流；ICEO是指________________极开路时，_______________极与_________________极之间的穿透电流；ICEO大约为ICBO________________倍。
24.已知图示电路中晶体管的β＝200，rbe=5kW，UBEQ=0.6V，电容的容量足够大，对交流信号可视为短路。近似估算下面各值：
1．静态工作点CQI»_________________，UCEQ»________________；
2．电压放大倍数Au&»_____________；
3．输入电阻Ri»_____________；
4．输出电阻Ro»_____________。
25.在Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ三个直接耦合放大电路中，电路Ⅰ的电压放大倍数为1000，当温度由20℃上升到25℃时，输出电压漂移了10V；电路Ⅱ的电压放大倍数为50，当温度由20℃上升到40℃时，输出电压漂移了10V；电路Ⅲ的电压放大倍数为20，当温度由20℃上升到40℃时，输出电压漂移了2V。试就下列问题在电路Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ中选择正确的填空：
1．温漂指标最小的电路是____；
2．温漂指标最大的电路是____。
五、非客观题（解答下列各题。本大题共40分，共计4小题。）
26.（10分）在某放大电路中有两只晶体管，测得每个晶体管的两个电极中的电流大小和方向如图（a）、（b）所示。
1．标出另一个电极中的电流大小和方向；
2．判断管子类型（NPN、PNP），表明电极e、b、c的位置；
3．估算管子的β值。
27.（6分）定性画出图示三个电路输出电压波形（设电路在线性条件下工作，电容的容抗忽略不计）。
28.（10分）设如图所示电路中，三极管的β=60，Rb=530kΩ，RC=RL=5kΩ，Vcc=6V，UBE=0.7V。
(1)估算静态工作点；
(2)求rbe值；
(3)画出放大电路的h参数微变等效电路；
(4)求电压放大倍数Au，输人电阻Ri；和输出电阻Ro值。
29.（14分）已知图示放大电路的静态工作点正常，场效应管跨导gm＝2mS，srd可视为无穷大，电容的容抗可忽略不计。
1．画出微变等效电路图；
2．计算电压放大倍数Au、输入电阻Ri、输出电阻Ro。
