电子技术试题求解

1.反向击穿特性 2.共发射极组态(电压放大倍数大) 共集电极(带负载能力强) 共集电极(信号源输出电流小) 共基极(高频电路) 3.N型半导体 多子为自由电子 少子为空穴 4.对称性的特点.抑制零点漂移能力,放大差模信号 抑制共模信号 5.直流通路确定Q点 交流通路确定信号传输途径. 6.电击穿可逆 热击穿会烧坏二极管 7.P区接高电位 N区接低电位 8.共发射极/共基极/共集电极 9.D触发器 Qn+1=D JK触发器Qn+1=J非Qn+K.Qn非 T触发器 Qn+1=T异或Qn (没办法输入逻辑符号 你要是学过应该看得懂吧) 10.同上 符号没办法输入 11.循环码 1位不同 零点漂移原因:电路中的三极管和其他元器件的参数受温度变化的影响发生了改变 导致放大器的Q点随温度变化 在输出端 输出电压偏移起始值 内部原因:发射区掺杂最大 基区最薄 集电区面积最大 外部原因:发射结正偏 集电结反偏 后面的计算题你没图就没办法算了哈 不过都範弗顿煌塥号舵铜罚扩挺简单的 ==================================================================== 百分百保证我回答的问题绝对正确 因为我就是教这个的老师!

在电力电子技术中，电能转换的输入输出可分为哪四种形式？？

1、整流与可控整流电路亦称为交流/直流(AC/DC)变换电路 2.直流斩波电路亦称为直流/直流(DC/DC)转换电路 3.逆变电路亦称为直流/交流(DC/AC)变换电路 4.交流变换电路(AC/AC变换)

数字电子技术试题。

1、A：（65）8=5+6*8=（53）10 B:（111010）2=1*2+1*8+1*16+1*32=（58）10
C:（57）10=（57）10 D:（3D)16=13+3*16=（61）10
所以D最大。
2、D
3、D
8、A
9、D
10、C
11、B
12、B

电工学电子学与数字电路和模拟电路的区别

电工学主要是电路原理的知识，电子学包括了数字电路和模拟电路的知识，但是很简略。数字电路和模拟电路是专业基础课，相对电子学详细具体很多

电力电子技术试题GTO GTR MOSFET IGBT四种晶体管的优缺点请尽量稍微的详细点

GTO(门级可关断晶闸管)：全控型器件 电压、电流容量大，适用于大功率场合，具有电导调制效应，其通流能力很强 电流关断增益很小，关断时门极负脉冲电流大，开关速度低，驱动功率大，驱动电路复杂，开关频率低
GTR（电力晶体管）耐高压，电流大开关特性好
mosfet（电力场效应晶体管）驱动电路简单，需要驱动功率小，开关速度快，工作频率高，热稳定性高于GTR但是电流容量小
IGBT(绝缘栅双极晶体管)它综合了GTR和mosfet的优点，具有电导调制效应，其通流能力很强，但是开关速度较慢，所需驱动功率大，驱动电路复杂。
望采纳~~