AMC考试常用词汇表

一。基本图形：

三角形：triangle

矩形：rectangle

正方形：square

平行四边形：parallelogram

梯形：trapezoid

菱形：rhombus

圆：circle

二。基本立体图形：

正方体：cube

长方体：rectangular prism

圆柱体：right circular cyclinder

圆锥体：right circular cone

球体： sphere

三。基本计算量：

长度：length

面积：area

体积（容积）：volume

周长：perimeter

表面积：surface area

底面积：base area

基本数学词汇：

加：plus/and/positive

减：minus/negative

乘：multiplied by/times

除：devided by

等于：equal

不等于：not equal to

大于：greater than

小于：less than

大于等于：equal or greater than

小于等于：equal or less than

约等于：approximately equal

因为：because

所以：therefore

开平方：square root of

开立方：cube root of

绝对值：the absolute value

函数：function

图形：figure

角：angle

直角：right angle

锐角：acute angle

对折：fold

分数：fraction

X-轴：X-axis

Y-轴：Y-axis

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美国留学考试AMC含金量究竟怎样

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继续教育考试怎么找答案？

在文章开始说过，继续教育考试找答案可不是作弊，在这场考试中是可以带书和带手机查找答案的，但是带书翻来翻去，不仅声音大而且费时间，所以现在带手机找答案比较方便。下面就说下具体怎么找，以医学继续教育考试为例。
第一步：进入考场打开电脑，然后再打开手机打开搜题找答案软件，最好下载那种可以拍照搜题的，精准便捷快速。
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以上是对“继续教育网上考试答案怎么找”这个话题展开的2维度分析描述，并同时举例某题宝搜题软件如何快速找答案，为考生提供一种方法技巧通过考试，有好东西一起分享。

(三极管)VCC,Vceo,Vcbo,Vebo,Icm,Pcm,ft mHZ分别代表什么?以及是否还有其他的?请给详解一下三极管,谢谢

以下是我的收藏：奉献给你吧！

三极管的参数解释
△ λ---光谱半宽度
△VF---正向压降差
△Vz---稳压范围电压增量
av---电压温度系数
a---温度系数
BV cer---基极与发射极串接一电阻，CE结击穿电压
BVcbo---发射极开路，集电极与基极间击穿电压
BVceo---基极开路，CE结击穿电压
BVces---基极与发射极短路CE结击穿电压
BVebo--- 集电极开路EB结击穿电压
Cib---共基极输入电容
Cic---集电结势垒电容
Cieo---共发射极开路输入电容
Cies---共发射极短路输入电容
Cie---共发射极输入电容
Cjo/Cjn---结电容变化
Cjo---零偏压结电容
Cjv---偏压结电容
Cj---结（极间）电容， 表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容
CL---负载电容（外电路参数）
Cn---中和电容（外电路参数）
Cob---共基极输出电容。在基极电路中，集电极与基极间输出电容
Coeo---共发射极开路输出电容
Coe---共发射极输出电容
Co---零偏压电容
Co---输出电容
Cp---并联电容（外电路参数）
Cre---共发射极反馈电容
Cs---管壳电容或封装电容
CTC---电容温度系数
CTV---电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比
Ct---总电容
Cvn---标称电容
di/dt---通态电流临界上升率
dv/dt---通态电压临界上升率
D---占空比
ESB---二次击穿能量
fmax---最高振荡频率。当三极管功率增益等于1时的工作频率
fT---特征频率
f---频率
h RE---共发射极静态电压反馈系数
hFE---共发射极静态电流放大系数
hfe---共发射极小信号短路电压放大系数
hIE---共发射极静态输入阻抗
hie---共发射极小信号短路输入阻抗
hOE---共发射极静态输出电导
hoe---共发射极小信号开路输出导纳
hre---共发射极小信号开路电压反馈系数
IAGC---正向自动控制电流
IB2---单结晶体管中的基极调制电流
IBM---在集电极允许耗散功率的范围内，能连续地通过基极的直流电流的最大值，或交流电流的最大平均值
IB---基极直流电流或交流电流的平均值
Icbo---基极接地，发射极对地开路，在规定的VCB反向电压条件下的集电极与基极之间的反向截止电流
Iceo---发射极接地，基极对地开路，在规定的反向电压VCE条件下，集电极与发射极之间的反向截止电流
Icer---基极与发射极间串联电阻R，集电极与发射极间的电压VCE为规定值时，集电极与发射极之间的反向截止电流
Ices---发射极接地，基极对地短路，在规定的反向电压VCE条件下，集电极与发射极之间的反向截止电流
Icex---发射极接地，基极与发射极间加指定偏压，在规定的反向偏压VCE下，集电极与发射极之间的反向截止电流
ICMP---集电极最大允许脉冲电流
ICM---集电极最大允许电流或交流电流的最大平均值。
ICM---最大输出平均电流
Ic---集电极直流电流或交流电流的平均值
IDR---晶闸管断态平均重复电流
ID---暗电流
IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流
IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流
Iebo---基极接地，集电极对地开路，在规定的反向电压VEB条件下，发射极与基极之间的反向截止电流
IEM---发射极峰值电流
IE---发射极直流电流或交流电流的平均值
IF（AV）---正向平均电流
IF(ov)---正向过载电流
IFM（IM）---正向峰值电流（正向最大电流）。在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。发光二极管极限电流。
IFMP---正向脉冲电流
IFRM---正向重复峰值电流
IFSM---正向不重复峰值电流（浪涌电流）
IF---正向直流电流（正向测试电流）。锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流
iF---正向总瞬时电流
IGD---晶闸管控制极不触发电流
IGFM---控制极正向峰值电流
IGT---晶闸管控制极触发电流
IH---恒定电流、维持电流。
Ii--- 发光二极管起辉电流
IL---光电流或稳流二极管极限电流
IOM---最大正向（整流）电流。在规定条件下，能承受的正向最大瞬时电流；在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗检波二极管的最大工作电流
Iop---工作电流
Io---整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流
IP---峰点电流
IR（AV）---反向平均电流
IR（In）---反向直流电流（反向漏电流）。在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。
IRM---反向峰值电流
Irp---反向恢复电流
IRRM---反向重复峰值电流
IRR---晶闸管反向重复平均电流
IRSM---反向不重复峰值电流（反向浪涌电流）
ir---反向恢复电流
iR---反向总瞬时电流
ISB---二次击穿电流
Is---稳流二极管稳定电流
IV---谷点电流
Izk---稳压管膝点电流
IZM---最大稳压电流。在最大耗散功率下稳压二极管允许通过的电流
IZSM---稳压二极管浪涌电流
Iz---稳定电压电流（反向测试电流）。测试反向电参数时，给定的反向电流
n---电容变化指数；电容比
PB---承受脉冲烧毁功率
PCM---集电极最大允许耗散功率
Pc---集电极耗散功率
PC---控制极平均功率或集电极耗散功率
Pd---耗散功率
PFT（AV）---正向导通平均耗散功率
PFTM---正向峰值耗散功率
PFT---正向导通总瞬时耗散功率
PGM---门极峰值功率
PG---门极平均功率
Pi---输入功率
Pi---输入功率
PK---最大开关功率
PMP---最大漏过脉冲功率
PMS---最大承受脉冲功率
PM---额定功率。硅二极管结温不高于150度所能承受的最大功率
Pn---噪声功率
Pomax---最大输出功率
Posc---振荡功率
Po---输出功率
Po---输出功率
PR---反向浪涌功率
Psc---连续输出功率
PSM---不重复浪涌功率
Ptot---总耗散功率
Ptot---总耗散功率
PZM---最大耗散功率。在给定使用条件下，稳压二极管允许承受的最大功率
Q---优值（品质因素）
r δ---衰减电阻
R(th)ja----结到环境的热阻
R(th)jc---结到壳的热阻
r(th)---瞬态电阻
rbb分钟Cc---基极-集电极时间常数，即基极扩展电阻与集电结电容量的乘积
rbb分钟---基区扩展电阻（基区本征电阻）
RBB---双基极晶体管的基极间电阻
RBE---外接基极-发射极间电阻（外电路参数）
RB---外接基极电阻（外电路参数）
Rc ---外接集电极电阻（外电路参数）
RE---射频电阻
RE---外接发射极电阻（外电路参数）
RF（r）---正向微分电阻。在正向导通时，电流随电压指数的增加，呈现明显的非线性特性。在某一正向电压下，电压增加微小量△V，正向电流相应增加△I，则△V/△I称微分电阻
RG---信号源内阻
rie---发射极接地，交流输出短路时的输入电阻
RL---负载电阻
RL---负载电阻（外电路参数）
roe---发射极接地，在规定VCE、Ic或IE、频率条件下测定的交流输入短路时的输出电阻
Rs(rs)----串联电阻
Rth---热阻
Rth----热阻
Rz(ru)---动态电阻
Ta---环境温度
Ta---环境温度
Tc---管壳温度
Tc---壳温
td---延迟时间
td----延迟时间
tfr---正向恢复时间
tf---下降时间
tf---下降时间
tgt---门极控制极开通时间
tg---电路换向关断时间
Tjm---最大允许结温
Tjm---最高结温
Tj---结温
toff---关断时间
toff---关断时间
ton---开通时间
ton---开通时间
trr---反向恢复时间
tr---上升时间
tr---上升时间
tstg---温度补偿二极管的贮成温度
Tstg---贮存温度
ts---存储时间
ts---存贮时间
Ts---结温
V n---噪声电压
V v---谷点电压
V（BR）---击穿电压
VAGC---正向自动增益控制电压
VB2B1---基极间电压
VBB---基极（直流）电源电压（外电路参数）
VBE(sat)---发射极接地，规定Ic、IB条件下，基极-发射极饱和压降（前向压降）
VBE10---发射极与第一基极反向电压
VBE---基极发射极（直流）电压
VB---反向峰值击穿电压
VCBO---基极接地，发射极对地开路，集电极与基极之间在指定条件下的最高耐压
VCB---集电极-基极（直流）电压
Vcc---集电极（直流）电源电压（外电路参数）
VCE(sat)---发射极接地，规定Ic、IB条件下的集电极-发射极间饱和压降
VCEO---发射极接地，基极对地开路，集电极与发射极之间在指定条件下的最高耐压
VCER---发射极接地，基极与发射极间串接电阻R，集电极与发射极间在指定条件下的最高耐压
VCES---发射极接地，基极对地短路，集电极与发射极之间在指定条件下的最高耐压
VCEX---发射极接地，基极与发射极之间加规定的偏压，集电极与发射极之间在规定条件下的最高耐压
VCE---集电极-发射极（直流）电压
Vc---整流输入电压
VDRM---断态重复峰值电压
VEBO---基极接地，集电极对地开路，发射极与基极之间在指定条件下的最高耐压
VEB---饱和压降
VEE---发射极（直流）电源电压（外电路参数）
VF（AV）---正向平均电压
VFM---最大正向压降（正向峰值电压）
VF---正向压降（正向直流电压）
VGD---门极不触发电压
VGFM---门极正向峰值电压
VGRM---门极反向峰值电压
VGT---门极触发电压
Vk---膝点电压（稳流二极管）
VL ---极限电压
Vn(p-p)---输入端等效噪声电压峰值
Vn---中心电压
VOM---最大输出平均电压
Vop---工作电压
Vo---交流输入电压
Vp---穿通电压。
Vp---峰点电压
VRM---反向峰值电压（最高测试电压）
VRRM---反向重复峰值电压（反向浪涌电压）
VRWM---反向工作峰值电压
VR---反向工作电压（反向直流电压）
VSB---二次击穿电压
Vs---通向电压（信号电压）或稳流管稳定电流电压
Vth---阀电压（门限电压）
Vz---稳定电压
δvz---稳压管电压漂移
η---单结晶体管分压比或效率
λp---发光峰值波长

统计每个学生的选课门数和考试总成绩，并按选课门数的降序排列

select
课程,
count(课程编号)
as
选课人数
,
avg(成绩)
as
平均成绩
from
表
group
by
课程编号

一次数学考试共有50题,规定答对一题得2分,答错一题扣1分,未答得题不计分。考试结束后，小明得了81分。

50题如果全部答对可得100分，但有奇数道题目没有答，没答一题少得2分，没答三题少得6分……
于是，如果没有答错的题，得分应该是98、94……一定是偶数。
然而得分是81，这说明小明因为答错而少得了98-81=17分、94-81=13分……
答错一题比答对一题少得3分，所以在17、13……里找可以被3除开的数——9。
9÷3=3，说明答错3道。如果不答错这3道题，小明可以得81+9=90分，说明他有（100-90）÷2=5题没答，有50-3-5=42题答对。

标准CAD图纸(A3、A4)图框、标题栏及明细栏尺寸样式字体是多大?

表1图纸幅面及图框格式尺寸
幅面代号 A0 A1 A2 A3 A4
B×L 841×1189 594×841 420×594 297×420 210×297
a 25
c 10 5
e 20 10
2）标题栏和明细表（GB/T 10609.1 – 1989）
每张图纸上都必须画出标题栏，装配图有明细表。标题栏按图1所示绘制和填写，明细表按图2所示绘制和填写。
图1 标题栏
图2 明细表
2、字体（GB／T 14691—1993）
（1）书写字体必须做到：字体工整、笔画清楚、间隔均匀，排列整齐。
（2）字体的号数，即字体高度h，其公称尺寸系列为：1.8，2.5，3.5，5，7，10，14，20mm。
（3）汉字应写成长仿宋体字，并采用国家正式公布推行的简化字。汉字的高度h不应小于3.5mm，其字宽一般为 h／ （约0.7h）。
（4）汉字书写的要点在于横平竖直，注意起落，结构均匀，填满方格。
（5）字母和数字分为A型和B型。A型字体的笔画宽度d为字高（h）的1/14，B型字体笔画宽度为字高的1/10。在同一图样上只允许选用一种型式的字体。字母和数字可写成斜体或直体，但全图要统一。斜体字字头向右倾斜，与水平基准线成75°。
3、图线
1）基本线型
根据国标GB/T 17450－1998《技术制图 图线》，在机械制图中常用的线型有实线、虚线、点画线、双点画线、波浪线、双折线等（见表2）。
表2基本线型及应用
2）图线的宽度
图线的宽度d应根据图形的大小和复杂程度，在下列数系中选择：0.18，0.25，0.35，0.5，0.7，1，1.4，2mm。
在机械图样上，图线一般只有两种宽度，分别称为粗线和细线，其宽度之比为2：1。在通常情况下，粗线的宽度采用0.5或0.7 mm，细线的宽度采用0.25或0.35 mm。
在同一图样中，同类图线的宽度应一致。
4．比例
表3 常用比例
原值比例 1:1
缩小比例 （1:1.5） 1:2 （1:2.5） （1:3） （1:4） 1:5 1:101:2×10n （1:2.5×10n） （1:3×10n） （1:4×10n） 1:5×10n （1:6×10n）
放大比例 2:1 （2.5:1） （4:1） 5:11×10n:1 2×10n:1 （2.5×10n:1） （4×10n:1） 5×10n:1
注：n为正整数。
二、计算机绘图（AutoCAD）
为了提高绘图效率，可定制用户样板文件，这样在以后开始新文件时，通过使用这个样板就可以省去大量的重复设置和绘图操作。
一般图层、线型和字体可作如下设置：
1．图层设置
用LAYER命令按表3设定图层，赋予图层颜色、线型、线宽和其他需要设定的参数。
表3 图层设置
图层名 描述 线型 颜色 线宽
01粗实线 粗实线，剖切面的粗剖切线 continuous 绿色 0.5
02细实线 细实线，细波浪线，细折断线 continuous 白色 0.25
03粗虚线 粗虚线 ACAD_ISO02W100 黄色 0.5
04细虚线 细虚线 ACAD_ISO02W100 黄色 0.25
05细点画线 细点画线，剖切面的剖切线 ACAD_ISO04W100 红色 0.25
06粗点画线 粗点画线 ACAD_ISO04W100 红色 0.5
07细双点画线 细双点画线 ACAD_ISO05W100 粉色 0.25
08尺寸标注 尺寸标注，投影连线，尺寸终端与符号细实线 continuous 白色 0.25
09辅助 参考圆，包括引出线和终端（如箭头） continuous 白色 0.25
10剖面符号 剖面符号 continuous 白色 0.25
11细文本 文本（细实线） continuous 白色 0.25
2．字体样式设置
用STYLE命令设置常用的字体样式，一般可将“STANDARD”样式中的英文字体用“gbenor.shx”或“gbeitc.shx”，中文大字体用“gbcbig.shx”。另外根据需要可新建“仿宋体”样式，采用WINDOWS的字体“仿宋_GB2312”并将字体宽度比例设为0.7。
3．请不要在定义点（DEFPOINTS）层上画图，因为打印不出来。
4．有关样板图和图框标题栏可到 FTP://202.120.165.151/PUB/毕业设计 中下载。
三、图纸的折叠装订
图纸应按国家标准（GB10609.3－89）折叠成297mm×210mm(A4图纸的大小)后装订